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原子層沉積(ALD)

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 牛津儀器(上海)有限公司
  • 品牌
  • 型號(hào)
  • 所在地 上海市
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間 2016/10/29 14:11:58
  • 訪問(wèn)次數(shù) 1403

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原子層沉積(ALD)是一項(xiàng)真正意義上的納米技術(shù),使納米超薄薄膜以一種精確控制的方式沉積。

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  原子層沉積(ALD)是一項(xiàng)真正意義上的納米技術(shù),使納米超薄薄膜以一種精確控制的方式沉積。


  原子層沉積ALD有兩個(gè)特征;


  自限性原子分層技術(shù)增長(zhǎng)和高保形涂層。這些特征在半導(dǎo)體工程、微機(jī)電系統(tǒng)和其他納米技術(shù)的應(yīng)用程序使用方面展現(xiàn)許多優(yōu)勢(shì)。


  原子層沉積的優(yōu)勢(shì)


  原子層沉積的過(guò)程正是每個(gè)周期中單個(gè)原子層沉積的過(guò)程,*控制的沉積是一個(gè)獲得納米尺度的過(guò)程:


  保形涂層即使在高深寬比和復(fù)雜的結(jié)構(gòu)中也可以實(shí)現(xiàn)


  可實(shí)現(xiàn)針孔和無(wú)顆粒沉積


  一個(gè)非常廣泛的材料與原子層沉積是可能的,例如:


  氧化物:Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, SrTiO3, Ta2O5, Gd2O3, ZrO2, Ga2O3, V2O5, Co3O4, ZnO, ZnO:Al, ZnO:B, In2O3:H, WO3, MoO3, Nb2O5, NiO, MgO, RuO2


  氟化物:MgF2, AlF3


  有機(jī)雜化材料:Alucone


  氮化物:TiN, TaN, Si3N4, AlN, GaN, WN, HfN, NbN, GdN, VN, ZrN


  金屬:Pt, Ru, Pd, Ni, W


  硫化物:ZnS


  ALD工具比較

 


  原子層沉積系統(tǒng)包括FlexAL和OpAL 兩款。


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