一、概述

少子壽命測(cè)試儀配備有紅外光源，可測(cè)量包括硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅片等的少子壽命及鍺單晶的少子壽命

二、技術(shù)指標(biāo)

1、儀器測(cè)試精度：≤±0.5%；

2、可測(cè)少子壽命范圍：0.1μs～7000μs；

3、測(cè)試電阻率范圍：≥0.1Ωcm 可擴(kuò)展到0.01Ωcm；

4、配備光源類型：波長：980±30nm；

5、高頻振蕩源：用石英諧振器，振蕩頻率：30MHz；

6、前置放大器：放大倍數(shù)約25，頻寬2Hz～1MHz；

7、測(cè)量方式：采用對(duì)標(biāo)準(zhǔn)曲線讀書方式。